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铁木真
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标签:下图是理想MOS电容在室温下的能带图,其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲,且在SiSiO界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合
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半导体物理(电子科技大学) 中国大学mooc答案满分完整版章节测试
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