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标签:由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时,已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度,则可能的原因有()
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半导体物理(电子科技大学) 中国大学mooc答案满分完整版章节测试
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