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第1周：知识单元一 – PN结与半导体二极管（4学时） PN结与半导体二极管单元测试
1、 P型半导体中，少数载流子是：
答案: 自由电子
2、 在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为：
答案: N型半导体
3、 稳压管是利用PN结的（ ）特性制作而成的。
答案: 反向击穿性
4、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_，而少数载流子的浓度与_关系十分密切。（A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度）
答案: CA
5、 如果给N型半导体中掺入足够多的三价元素，可将其改型为P型半导体。
答案: 正确
分析：“足够多”的三价元素，可以提供“足够多”的空穴。
6、 由于N型半导体中存在大量自由电子，故N型半导体会带负电。
答案: 错误
分析：N型半导体整体呈电中性：大量自由电子存在的同时，还有大量正离子（五价元素提供一个自由电子，成为离子）。
7、 PN结正偏时，势垒电容是主要的。
答案: 错误
分析：PN结正偏时，势垒区较窄，扩散电容是主要的。
8、 当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄；当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
答案: 正确
第2周：知识单元二 – 场效应管及其放大电路（1）（4学时） 场效应管及其放大电路（1）单元测试
1、 某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为：
答案: 耗尽型PMOS管
2、 下图中的四个偏置电路中，能正常工作的是：
答案: (c)
3、 图示电路中，若源极电阻RS增大，则该电路的漏电流ID会：
答案: 不变
4、 某场效应管的转移特性曲线如图所示，试问该管子是什么类型？
答案: N沟道JFET
5、 由耗尽型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路：
答案: 静态工作点过于靠近截止区
6、 如图两个电路能否放大输入信号？
答案: （a）不可以 （b）不可以
7、 共源放大电路的输入电阻通常_（A、大于， B、小于， C、等于）共射放大电路的输入电阻，因此共源放大电路从信号源索取的电流比较_（A、大， B、小，C、适中）。
答案: AB
第3周：知识单元二 – 场效应管及其放大电路（2）（4学时） 场效应管及其放大电路（2）单元测试
1、 已知场效应管的输出特性或转移如题图所示，试判别其类型。
（a） （b）
答案: a图为P沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET
2、 2
答案: 截止区
3、 3
答案: 恒流区
4、 4
答案: 
5、 
答案: 
6、 
答案: 
7、 
答案: 
第4周：知识单元三 – 双极型晶体管及其放大电路（1） 双极型晶体管及其放大电路（1）单元测验
1、 已知晶体管工作在线性放大区，并测得各个电极对地电位如题图所示。试确定圆圈中晶体管的类型（ ）。
答案: 硅NPN
2、 已知晶体管工作在线性放大区，并测得各个电极对地电位如题图所示。试确定圆圈中晶体管的类型（ ）。
答案: 锗PNP
3、 已测得晶体管各电极对地电位如题图所示，试判别晶体管的工作状态（ ）。
答案: 放大
4、 已测得晶体管各电极对地电位如题图所示，试判别晶体管的工作状态（ ）。
答案: 损坏
5、 某晶体管的共射输出特性曲线如题图所示。IBQ=0.3mA时，Q1点的β值为（ ）。
答案: 50
6、 某晶体管的共射输出特性曲线如题图所示，则该管的PCM约为（ ）。
答案: 330mW
7、 某晶体管的共射输出特性曲线如题图所示，则该管的U(BR)CEO约为（ ）。
答案: 40V
第5周：知识单元三 – 双极型晶体管及其放大电路（2） 双极型晶体管及其放大电路（2）单元测验
1、 晶体管电路如题图所示。已知β＝100，UBE ＝﹣0.3V，则直流工作点ICQ、UCEQ分别是( )。
答案: 2mA -5.4V
2、 放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图a、b所示。设UBE(on) ＝0V，各电容对信号视作短路，则晶体管的β和rce分别为（ ）。
答案: 100 ∞
3、 放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图所示。设UBE(on) ＝0V，各电容对信号视作短路，则电路的交流负载线为（）。
答案: ②
4、 放大电路如题图所示，已知β = 50，UBE = 0.7V，UCES = 0，RC = 2kW，RL = 20kW，UCC = 12V。若要求放大电路有最大的输出动态范围，则RB应调到（ ）。 
答案: 188KW
5、 放大电路及其交、直流负载线如题图所示，则UCC、UCEQ、ICQ值分别为 ( )。
答案: 
6、 放大电路及其交、直流负载线如题图所示，已知β = 50，UBE = 0.7V，UCES = 0。则RC、RL、RB值分别为 ( )。
答案: 
7、 题图所示为共射放大电路，设基极静态电流IBQ= 20mA，RC= 2kW，RL= 2kW，UCC= 9V，RS= 150W，rbb¢= 0，厄尔利电压|UA|=100V，b=100，C为隔直、耦合电容。则静态工作点UCEQ、源电压放大倍数Aus= Uo / Us 、输入电阻Ri和输出电阻Ro分别为（ ）。
答案: 
8、 晶体管电路如题图所示。已知β＝100，UBE ＝﹣0.3V，若偏置电阻RB1开路，则集电极电位UC及晶体管工作状态分别为（ ）。
答案: 0V 截止
9、 放大电路及其交、直流负载线如题图所示，则输出动态范围Uopp的值为 ( )。
答案: 4V
10、 硅晶体管电路如题图所示。设晶体管的UBE(on) = 0.7V, b = 100。则管子工作在放大状态。
答案: 错误
分析：因发射结偏压小于0，故管子工作在截止状态。
11、 硅晶体管电路如题图所示。设晶体管的UBE(on) = 0.7V, b = 100。则管子工作在放大状态。
答案: 正确
分析：通过计算，IB=25uA，IC=2.5mA，UCE=7.5V>0.7V，集电结反偏，故管子工作在放大状态。
12、 放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图所示。设UBE(on) ＝0V，各电容对信号视作短路，若电路中加接RL = 2kW的负载，设RB可调节，为得到最大的输出电压振幅值Uom，工作点应选取Q点（）。
答案: 错误
分析：若工作点选取Q点，因交流负载为1kΩ，则交流负载线与横轴交点横坐标为8V，即交流负载线为3，从图可见Q点并不在交流负载线的中心，故本题的说法错误。
第6周：知识单元三 – 双极型晶体管及其放大电路（3） 双极型晶体管及其放大电路（3）单元测验
1、 电路如题图所示，电容C对信号可视为短路。半导体三极管的b=100，rbb¢= 0，UT= 26mV，基极静态电流由电流源IB提供，设IB= 20mA，RS=0.15kW，RE = RL= 2kW。试计算Au= Uo / Ui。
答案: 0.987
2、 电路如题图所示，电容C对信号可视为短路。半导体三极管的b=100，rbb¢= 0，UT= 26mV，基极静态电流由电流源IB提供，设IB= 20mA，RS=0.15kW，RE = RL= 2kW。试计算Ro。
答案: 0.014 kW
3、 在题图所示的共基放大电路中，电容C对信号可视为短路。晶体管的β＝50，rbb¢= 50W，RB1= 30kW，RB2=15kW，UCC=12V，RC=3kW，RE=2kW，RL=3kW。该电路的静态工作点为（ ）。
答案: IBQ= 0.03mA, ICQ= 1.62mA, UCEQ= 3.9V
4、 在题图所示的共基放大电路中，电容C对信号可视为短路，晶体管的β＝50，rbb¢= 50W，RB1= 30kW，RB2=15kW，UCC=12V，RC=3kW，RE=2kW，RL=3kW。该电路的增益Au为（ ）。
答案: 87.8
5、 在题图所示的共基放大电路中，电容C对信号可视为短路，晶体管的β＝50，rbb¢= 50W，RB1= 30kW，RB2=15kW，UCC=12V，RC=3kW，RE=2kW，RL=3kW。电路的输出电阻Ro为( )。
答案: 3 kW
6、 组合放大电路如题图所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb¢= 0，rb¢e=1 kW，β＝50，rce=∞；RC= RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的输入电阻Ri为（ ）。
答案: 22.5kW
7、 组合放大电路如题图所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb¢= 0，rb¢e=1 kW，β＝50，rce=∞；RC= RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的电压增益Au为（ ）。
答案: -120
8、 组合放大电路如题图所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb¢= 0，rb¢e=1 kW，β＝50，rce=∞；RC= RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的输出电阻Ro为（ ）。
答案: 5kW
9、 组合放大电路如图1所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb¢= 0，rb¢e=1 kW，β＝50，rce=∞；RC= RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的交流通路如图2所示。
图1
图2
答案: 正确
第7周：知识单元四 – 放大器频率响应 放大器频率响应单元测验
1、 
答案: B,C,A,D,C,B
2、 
答案: A,D,A
3、 在图示放大电路中，当增大电容C1，则中频电压放大倍数
_，下限截止频率fL，上限截止频率fH_；当增大电阻Rc则，fL_，fH；当换用fT高，
相同的晶体管，则_，fL，fH____。A、增大， B、减小， C、不变
答案: CBCACBCCA
4、 已知图（a）所示电路的幅频响应特性如图（b）所示。从括号中选择正确答案，用A、B、C填空。影响fL大小的因素是_，影响fH大小的因素是_。A、晶体管极间电容， B、晶体管的非线性特性， C、耦合电容
答案: CA
5、 已知图示电路中晶体管＝100，rbe＝3.3k
。该放大电路的中频电压放大倍数约为_（A、50， B、100， C、200）；下限截止频率fL约为_Hz。（A、1， B、10， C、100）；当 Ui＝7mV，f=fL时，Uo约为 ____V（A、0.1， B、0.7， C、1， D、1.4）。
答案: CBC
6、 
答案: A.1000
7、 当信号频率等于放大电路的下限截止频率fL或上限截止频率fH时，放大倍数下降到中频时的0.707倍，此时增益下降（ ）dB。
答案: 3
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